桑立雯 复旦大学光电研究院教授

桑立雯，女，现任桑立雯 复旦大学光电研究院研究员、博士生导师。

教育及工作经历：

2010年获得北京大学理学博士学位，随后赴日本国立物质材料研究所(NIMS)进行博士后研究。

2012年加入NIMS若手科学研究中心任ICYS研究员。

2014年获得NIMS永久职位，先后任独立研究者，主干研究员。

2024年作为引进人才到复旦大学光电研究院工作。

招生信息：

博士研究生：学术型和专业型，本科直博，硕博连读，四年制博士

硕士研究生：学术型和专业型，学制三年。

课题组常年招聘博士后合作人员！

欢迎有志于从事半导体科学研究的博士生，硕士生和博士后加入课题组！

研究领域:

第三代半导体，光电子和微电子芯片，散热及应用研究，主要涉及III-V族氮化物半导体，金刚石等。

承担科研项目情况： 

先后主持日本科学技术振兴机构(JST)和日本学术振兴会(JSPS)等项目五项，参与JST、JSPS和日本文部科学省等项目十余项。

发明专利：

[1]桑立雯, 李亚兵, 方宇涛, 栾田田, 蔡子灵, 邹博聪, 侯雅琪, 周雨檬, 张芷清. 一种宽禁带半导体和金刚石异质集成衬底的制备方法[P]. 上海市: CN122535232A, 2026-08-07.

[2]桑立雯, 蔡子灵, 栾田田, 方宇涛, 李亚兵. 一种用于降低金属-半导体界面热边界电阻的声子桥接结构及其制备方法[P]. 上海市: CN122476907A, 2026-07-28.

[3]土田裕也, 末本祐也, 上冈义弘, 召田雅实, 仓持豪人, 长田贵弘, 桑立雯, 知京丰裕. 层叠膜结构体和其制造方法[P]. 山口: CN114651084B, 2024-08-06.

[4]末本祐也, 上冈义弘, 召田雅实, 长田贵弘, 桑立雯, 知京丰裕. 层叠体及其制造方法[P]. 山口: CN118119729A, 2024-05-31.

[5]土田裕也, 末本祐也, 上冈义弘, 召田雅实, 仓持豪人, 长田贵弘, 桑立雯, 知京丰裕. 层叠膜结构体和其制造方法[P]. 日本: CN114651084A, 2022-06-21.

[6]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁, 童玉珍. 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管[P]. 北京市: CN101582418B, 2012-10-03.

[7]杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁, 张国义. 一种单芯片白光发光二极管及其制备方法[P]. 北京市: CN101556983B, 2011-05-04.

[8]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁. 通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED[P]. 北京市: CN101582473B, 2011-05-04.

[9]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁. 背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法[P]. 北京市: CN101562222B, 2010-10-27.

[10]张国义, 桑立雯, 秦志新, 张延召, 杨志坚, 于彤军, 方浩. 一种生长p型AlGaN的方法[P]. 北京: CN101728250A, 2010-06-09.

[11]张国义, 杨志坚, 方浩, 李丁, 桑立雯, 陶岳彬, 康香宁, 孙永健, 陆羽, 赵璐冰. 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法[P]. 北京: CN101685768, 2010-03-31.

[12]张国义, 桑立雯, 秦志新, 杨志坚, 于彤军, 方浩. 一种生长AlN或AlGaN薄膜的方法[P]. 北京: CN101603172, 2009-12-16.

[13]秦志新, 桑立雯, 杨志坚, 方浩, 于彤军, 张国义. 一种深紫外发光二极管及其制备方法[P]. 北京: CN101604716, 2009-12-16.

[14]桑立雯, 杨志坚, 秦志新, 方浩, 于彤军, 张国义. 一种AlN缓冲层的生长方法[P]. 北京: CN101580930, 2009-11-18.

[15]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁, 童玉珍. 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管[P]. 北京: CN101582418, 2009-11-18.

[16]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁. 通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED[P]. 北京: CN101582473, 2009-11-18.

[17]张国义, 杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁. 背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法[P]. 北京: CN101562222, 2009-10-21.

[18]杨志坚, 方浩, 陶岳彬, 桑立雯, 李丁, 张国义. 一种单芯片白光发光二极管及其制备方法[P]. 北京: CN101556983, 2009-10-14.

[19]陶岳彬, 杨志坚, 方浩, 桑立雯, 李丁, 张国义. 一种双波长单芯片发光二极管[P]. 北京: CN101257081, 2008-09-03.

发表学术论文130余篇，总被引次数4000余次，h因子32，是Nature子刊Communication Engineering的签约编辑, 应邀担任Materials Today Electronics, Applied Science等杂志编委。

[1]Liwen Sang*, Well-matched vibrations cool electronic hotspots, Nature, 627, 743-744 (2024)

[2]Sushmitha Veeralingam, Liwen Sang*, Hong Pang, Renzhi Ma, Sushmee Badhulika. High Responsivity of Zero-Power-Consumption Ultraviolet Photodetector Using 2D-MoS2/i-GaN Vertical Heterojunction. ACS Photonics. 10 [12] 4408-4416 (2023)

[3]Liwen Sang*, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Xuelin Yang, and Bo Shen, Polarization-induced hole doping for long-wavelength In-rich InGaN solar cells, Applied Physics Letters 119, 202103(2021)

[4]L. Sang, H. Sun, X. Yang, T. Li, B. Shen and M. Liao, Self-Temperature-Compensated GaN MEMS Resonators through Strain Engineering up to 600 K, 2020 the 66th IEEE International Electron Device Meeting, IEDM 2020

[5]Meiyong Liao*, Liwen Sang*, Takehiro Shimaoka, Masataka Imura, Satoshi Koizumi, and Yasuo Koide, Energy-Efficient Metal-Insulator-Metal-Semiconductor Field effect transistors based on 2D carrier Gases, Advanced Electronic Materials, 34,1800832 (2019)

[6]Liwen Sang, Meiyong Liao, Qifeng Liang, Masaki Takeguchi, Benjamin Dierre, Takashi Sekiguchi, Yasuo Koide, Masatomo Sumiya, and Bo Shen, Multilevel intermediate-band solar cell by InGaN/GaN quantum dots with a strain-modulated structure, Advanced Materials, 26, 1414-1420(2014)

[7]Tao Ji, Qian Liu, Rujia Zou, Yangang Sun, Kaibing Xu, Liwen Sang*, Meiyong Liao*, Yasuo Koide, Li Yu, Junqing Hu*, An Interface Engineered Multicolor Photodetector Based on n-Si (111)/TiO2 Nanorod Array Heterojunction, Advanced Functional Materials, 26, 9, 1400-1410 (2016)

[8]Liwen Sang*, Bing Ren, Raimu Endo, Takuya Masuda, Hideyuki Yasufuku, Meiyong Liao, Toshihide Nabatame, Masatomo Sumiya, and Yasuo Koide, Boosting the doping efficiency of Mg in p-GaN grown on the free-standing GaN substrate, Applied Physics Letter, 115, 172103 (2019)

[9]Bing Ren, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, and Liwen Sang*, Nearly Ideal Vertical-type GaN Schottky Barrier Diodes with Ultra-Low Turn-on Voltage and On-Resistance, Applied Physics Express, 10, 051001, (2017)

[10]Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, and Liwen Sang*, Investigation on the interfacial chemical state and band alignment for the sputtering-deposited CaF2/p-GaN heterojunction by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy, Journal of Applied Physics, 120, 185305 (2016)

[11]Liwen Sang,* Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano, Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes, Applied Physics Letters, 111, 122102 (2017)

[12]Rujia Zou, Zhenyu Zhang, Qian Liu, Junqing Hu*, Liwen Sang*, Meiyong Liao* and W. Zhang, ‘High Detectivity Solar-Blind High-Temperature Deep-Ultraviolet Photodetector Based on Multi-Layered (l00) Facet-Oriented β-Ga2O3 nanobelts’, Small, 10, 1848-1856, (2014)

发表中文期刊论文：

[1]李广如, 秦志新, 桑立雯, 沈波, 张国义. GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文)[J]. 发光学报, 2011, 32 (3): 262-265.

[2]方浩, 龙浩, 桑立雯, 齐胜利, 熊畅, 于彤军, 杨志坚, 张国义. Nonpolar a-plane light-emitting diode with an in-situ SiNx interlayer on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapour deposition[J]. Chinese Physics B, 2011, 20 (1): 643-646.

[3]张延召, 秦志新, 桑立雯, 许正昱, 于涛, 杨子文, 沈波, 张国义, 赵岚, 张向锋, 成彩晶, 孙维国. In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响[J]. 发光学报, 2010, 31 (1): 91-95.

[4]丁嘉欣, 成彩晶, 张向锋, 张晓兵, 鲁正雄, 司俊杰, 孙维国, 桑立雯, 张国义. 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器[J]. 激光与红外, 2009, 39 (2): 187-189.

[5]桑立雯, 秦志新, 方浩, 代涛, 杨志坚, 沈波, 张国义, 张小平, 俞大鹏. 脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响[J]. 半导体技术, 2008, 33 (S1): 154-157.

[6]周绪荣, 秦志新, 鲁麟, 沈波, 桑立雯, 岑龙斌, 张国义, 俞大鹏, 张小平. 蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响[J]. 发光学报, 2008, (4): 701-706.

[7]成彩晶, 丁嘉欣, 张向锋, 赵鸿燕, 鲁正雄, 司俊杰, 孙维国, 桑立雯, 张国义. 背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器[J]. 半导体学报, 2008, (3): 566-569.

[8]岑龙斌, 桑立雯, 周绪荣, 秦志新, 张国义. 307325nm波长AlGaN基紫外光探测器[J]. 半导体光电, 2007, (6): 789-792.

会议论文：

[1]桑立雯,秦志新,方浩,代涛,杨志坚,沈波... & 俞大鹏. (2008). 脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响. (eds.) 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集 (pp.154-157).  

[2]桑立雯, 秦志新, 杨志坚, 沈波 &  张国义. (2007). GaN/AlGaN超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN位错密度的影响. (eds.) 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 (pp.26). 

[3]方浩,杨志坚,王彦,桑立雯,赵璐冰,于彤军... & 张国义. (2007). 选区生长GaN基LED的研究. (eds.) 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 (pp.28). 

荣誉奖励：

曾获得日本文部科学省文部科学大臣表彰若手科学者奖、仓田奖励奖、the James.W. Corbett Prize, 两次获得日本科学技术振兴机构(JST)青年科学家PRESTO项目奖励。