专家信息：
冉广照，男，1968年2月出生。现任北京大学物理学院教授，博士生导师。
教育及工作经历：
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社会任职：
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教学情况：
主讲课程：
“半导体激光物理学”、“近代物理实验”。
培养研究生情况：
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科学研究：
研究方向：
主要从事半导体发光材料的研究工作。
承担科研项目情况：
1． 国家自然科学基金项目：纳米硅在Er离子1.54微米电致发光中的作用机理，2006。
2． 国家自然科学基金项目：在硅衬底上用单根II－VI族化合物半导体纳米线组装发光器件，2003。
3． 国家自然科学基金项目：纳米硅颗粒:超亮的新型生物标记物，2002。
4． 国家自然科学基金项目：表面等离子激元增强的纳米硅场效应发光器件，2008。
科研成果：
1． 纳米硅、氧化硅材料体系发光及其物理机制，2005年获北京市科学技术奖一等奖。
2． 氧化硅纳米硅体系的发光及物理机制，2007年获国家自然科学二等奖。
发明专利：
1． 一种透光电极及其制备方法 冉广照; 赵伟强; 秦国刚; 徐万劲 【中国专利】北京大学 2007-10-24
2． 阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备 冉广照; 张伯蕊; 乔永平; 戴伦; 吕莹; 陈晓升; 秦国刚 【中国专利】北京大学 2005-04-06
3． 一种有机电致发光器件及其制备方法 秦国刚; 陈娓兮; 冉广照; 乔永平; 马国立; 徐爱国; 吴世康; 张伯蕊; 戴伦 【中国专利】北京大学 2005-07-20
4． 一种顶出光电极及其制备方法 秦国刚; 冉广照; 乔永平; 张伯蕊; 徐爱国; 马国立; 陈娓兮 【中国专利】北京大学 2005-12-28
5． 一种顶出光电极及其制备方法 秦国刚; 马国立; 徐爱国; 乔永平; 冉广照; 张伯蕊; 陈娓兮 【中国专利】北京大学 2006-03-01
6． 一种顶出光电极及其制备方法 秦国刚; 马国立; 冉广照; 徐爱国; 乔永平 【中国专利】北京大学 2006-12-20
7． 顶出光电极及其制备方法 冉广照; 马国立; 秦国刚; 乔永平; 徐爱国 【中国专利】北京大学 2006-12-20
8． 一种有机电致发光器件及其制备方法 秦国刚; 李延钊; 冉广照; 乔永平 【中国专利】北京大学 2010-06-09
9． 金属键合硅基激光器的制备方法 秦国刚; 洪涛; 陈挺; 冉广照; 陈娓兮 【中国专利】北京大学 2010-06-16
10． 一种硅基有机电致发光器件及其制备方法 秦国刚; 李延钊; 冉广照; 徐万劲 【中国专利】北京大学 2010-09-22
11． 一种硅基有机电致发光器件及其制备方法 秦国刚; 李延钊; 陈挺; 徐万劲; 冉广照 【中国专利】北京大学 2010-11-24
12． 有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法 徐万劲; 秦国刚; 李延钊; 冉广照 【中国专利】北京大学 2011-10-19
13． 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法 秦国刚; 洪涛; 李艳平; 冉广照; 陈娓兮 【中国专利】北京大学 2011-11-16
论文专著：
发表学术论文10余篇。
出版专著：
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发表英文论文：
1． Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008
2． Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004
3． Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001
发表中文论文：
1 晶态Si3N4/非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究 尤力平; 冉广照 北京大学物理学院电子显微镜实验室; 北京大学物理学院国家介观物理实验室 【中国会议】2005年全国电子显微学会议论文集 2005-06-30
2 体硅阳极和薄膜微晶硅阳极聚合物顶发光白光器件 谷永涛; 魏峰; 孙拓; 徐万劲; 冉广照; 章勇; 牛巧利; 秦国刚 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室; 华南师范大学光电子材料与技术研究所 【期刊】北京大学学报(自然科学版) 2011-10-24 13:46
3 Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响 冉广照; 文杰; 尤力平; 徐万劲 人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理学院 【期刊】光谱学与光谱分析 2011-09-15
4 硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光 文杰; 陈挺; 冉广照 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室 【期刊】光谱学与光谱分析 2009-07-15
5 Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光 孙凯; 徐万劲; 冉广照 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室 【期刊】北京大学学报(自然科学版) 2010-01-20
6 晶态Si3N4/非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究 尤力平; 冉广照 北京大学物理学院电子显微镜实验室; 北京大学物理学院国家介观物理实验室 北京 【期刊】电子显微学报 2005-08-25
7 在C_(70)固体p-GaAs结构中的甚深深能级 冉广照; 陈源; 陈开茅; 张晓岚; 刘鸿飞 北京大学物理学院; 北京大学物理学院; 福州大学电子科学与应用物理系; 北京有色金属研究院 北京 【期刊】物理学报 2004-10-12
8 室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火 袁放成; 冉广照; 陈源; 张伯蕊; 乔永平; 付济时; 秦国刚; 马振昌; 宗婉华 泉州师范学院物理系; 北京大学物理系; 北京大学物理系; 信息产业部电子第十三研究所 【期刊】光谱学与光谱分析 2001-12-25
9 磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er~(3+) 1.54μm光致发光 袁放成; 冉广照; 陈源; 张伯蕊; 乔永平; 傅济时; 秦国刚; 马振昌; 宗婉华 北京大学物理系; 北京大学物理系; 信息产业部电子第十三研究所; 信息产业部电子第十三研究所 北京; 泉州师院物理系 【期刊】物理学报 2001-12-12
10 SiO2:Er和Si_xO2:Er薄膜室温Er~(3+)1.54μm波长的电致发光 袁放成; 冉广照; 陈源; 戴伦; 乔永平; 张伯蕊; 秦国刚; 马振昌; 宗婉华 泉州师范学院物理系功能材料研究所; 北京大学物理学院; 北京大学物理学院; 河北半导体研究所; ASIC国家重点实验室 【期刊】固体电子学研究与进展 2002-12-30
11 纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用 陈源; 冉广照; 戴 伦; 袁放成; 秦国刚; 马振昌; 宗婉华; 吴正龙 北京大学物理系; 北京大学物理系; 河北半导体研究所砷化镓集成电路国家实验室; 北京师范大学测试中心 北京 【期刊】红外与毫米波学报 2002-12-30
荣誉奖励：
1． 2005年获北京市科学技术一等奖。
2． 2007年获国家自然科学二等奖。
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