日期:2015-06-05 20:05
状态:待解决
提问:kjcxac
3）国内首次成功研制中子散射专用高温样品环境装置，经测试其最高温度可达1600℃，达到国际同类设备的性能水平。国内首次自主研发了专用于工业部件残余应力测试的原位高温以及放射性样品加载技术方法。
4）国际首次使用纳米氮化硼成功制备热中子闪烁体转换屏，研究了纳米级中子吸收材料的颗粒度对发光强度的影响，研制的新型B基热中子屏的性能已接近商业化6LiF屏的性能。
5)中子成像方法方面，在国际上首次系统地进行了编码源中子成像研究，并在国际上首先实现了小型加速器上的编码源中子成像。非平行束中子CT在算法中直接考虑了中子束
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